웨이퍼 파운드리 전문 기업 SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.(Sanan IC)가 자사 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대할 6인치 실리콘 카바이드(SiC) 기술 상용화에 필요한 전체 공정 관련 인증을 획득했다고 발표했다.

세계 시장에 첨단 소재 제조 능력을 제공하는 데 역량을 집중하고 있는 Sanan IC는 이제 SiC 기술을 설계용으로 업계에서 완성도 높은 수준에 이른 WBG(와이드 밴드 갭) 반도체로 떠 오른 소재다. Sanan IC는 갈륨비소(GaAs), 질화갈륨(GaN) 및 인화인듐(InP)과 같은 III-V 화합물 제조 외에도 6인치 SiC 에피텍셜 웨이퍼 제조 및 웨이퍼 공정 전문적서비스를 제공한다.

Sanan IC의 레이먼드 카이(Raymond Cai) CEO는 “이제 SiC를 더하여 웨이퍼 파운드리 서비스를 확장하고 이 서비스를 전 세계 와이드 밴드 갭 반도체 시장에 상용화하여 제공할 수 있게 되어 매우 기쁘다”며 “높은 효율, 스위칭 주파수, 고온 특성으로 SiC가 실리콘 솔루션을 대체함으로써 고성장할 이 분야에 엄청난 사업 기회가 있다고 믿는다”고 밝혔다.

또한 카이 CEO는 “자동차, 빅데이터, 재생 가능 청정 에너지 및 전력 유틸리티 산업의 엄청난 성장 덕분에 SiC 파운드리 공정 기술를 전 세계 시장에 제공할 기회가 창출되었다”며 “우리의 최첨단 제조 공정은 SiC의 첨단 능력을 보유하여 강력한 공급 기반을 가지고, 업계 베테랑으로 구성된 글로벌 팀을 보유한 Sanan IC는 이상적인 파운드리 파트너가 될 것”이라고 덧붙였다.

Sanan IC의 SiC 공정 기술은 650V, 1200V 및 더 높은 등급의 SBD(쇼트키 배리어 다이오드)를 위한 장치 구조를 제공하며 이어 900V 및 1200V 이상 등급의 SiC MOSFET 공정 기술도 곧 제공할 계획이다. SiC SBD와 SiC MOSFET 기술은 650V 이상의 전력변환 애플리케이션에 사용되는 기술로 떠오르고 있다. 실리콘 대비 SIC의 높고 강력한 효율, 전력 밀도, 스위칭 주파수, 브레이크다운 특성, 더 작고 가벼운 시스템 설계가 제시하는 이점을 고려하여 여러 애플리케이션이 이 기술을 채택하기 시작했다.

SiC기반 기술을 채택한 태양광 발전소, 산업용 모터 드라이브, 기업 서버 및 셀룰러 기지국 전원 공급 장치의 PFC(역률 교정) 부문 등은 소비와 산업시장으로 빠르게 확산되고 있다. 전기차(EV)와 하이브리드차(HEV) 업계에서는 이미 차량 탑재 충전기(OBC), 동력전달장치 인버터, DC/DC 변환기 등에 SiC를 널리 사용하고 있다. Yole Group의 계열사이자 기술 시장의 선도적 리서치 기업 Développement(Yole)에 따르면 SiC 동력 장치 반도체 시장은 2023년까지 1.5조 달러 규모로 성장할 것이며 2017년부터 2023년까지 31%의 연평균성장률(CAGR)을 기록할 것으로 예상된다*. Sanan IC는 고객의 품질, 물량, 증산 및 신뢰성 요건에 부합할 만반의 준비를 갖췄다.

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김건호 기자 다른기사 보기